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硅单光子探测器关键技术取得突破

原标题:硅单光子探测器关键技巧取得冲破

科技部网站消息,由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大年夜科学仪器设备开拓”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其财产化技巧钻研”项目颠末近两年的努力,冲破了低哆嗦、大年夜光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技巧,开拓出硅单光子探测器样机。近日,项目顺利经由过程了科技部高技巧中间组织的中期反省。

硅单光子探测用具有超高灵敏度,是300-1100nm波段超高灵敏探测弗成替代的关键芯片,且器件机能稳定靠得住、易形成面阵,是实现远间隔周详丈量、激光雷达等重大年夜科学仪器的关键核心部件之一。今朝海内硅单光子探测芯片主要依附入口,且阵列芯片禁运。开展硅单光子探测器的自立化钻研,对自力自立研制周详丈量、激光雷达等设置设备摆设具有紧张意义。

项目提出了雪崩历程随机性电场抑制措施,基于国产硅片和研发平台,研制出大年夜光敏面、低光阴哆嗦的硅雪崩探测器芯片,开拓了一系列可工程化利用的制备关键技巧,并在“北斗系统”开展了激光测距示范利用;同时还面向智能交通的市场需求,研制出线性模式硅雪崩探测器。

该项眼前目今一步将加快产品化开拓,前进产品技巧成熟度,加快产品利用示范及推广。

责任编辑:范斯腾

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